可控硅门极电阻的探讨

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晶闸管内部结构原理如下图，相当于一只PNP与NPN三极管的复合链接，其电器原理是强烈的正反馈特性。从图中可以明显看出G，k之间是一个PN结，相当于一只二极管。N型半导体材料的二极管饱和压降一般在0.6V-0.7V之间。那么用万用表测量的阻值是多少呢，一般在15-25欧范围内。为什么这样说呢这就要从万用表的特性来谈起了，万用表的电阻挡实际上是一个电流源，每个档位其输出的电流值是不相同的，档位越高其电流越小，比如R×1挡它的最大电流一般在几十毫安，R×10K挡其电流只有微安级的。另外万用表头一般是这样设置的，中心刻度一般设置在20欧姆（R×1）。那么半导体是一种非线性原件，测量出的阻值实际上是在一定电流下的压降值，万用表电阻挡内部是有一个1.5V干电池，表头中心位置相当于0.75V的电压，对应阻值也就是20欧。16欧位置相当于0.6V。换句话说假如阻值过低在12欧以下就证明其门极电流值过大。此时所需的门极触发电流也较大，根据对现在触发电路的研究得出结论普遍触发电流在几百毫安以内，所以晶闸管门极阻值过低会造成推不动的现象。有可能使管子不能进入深度饱和状态，功耗过大烧毁管子。为了使可控硅更快速的开通一般要求触发电流大于门极电流的4倍以上。为此门极电流就不能过大了，过大了就会造成开通速度低损耗大。同理门极阻值大于30欧性能也是不可靠的，因为阻值大了所需的触发电压就高了，由于触发电路的限制很有可能触不开的现象发生。通常在修理老设备时就会遇到工作不可靠的可控硅，其门极阻值都会增大。通常大于30欧就不怎么可靠了，当阻值大于40欧时就无需考虑直接换新可控硅即可。 根据以上分析状况门极电阻值在15-25范围内，最好是16-20欧比较合理。

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